弗劳恩霍夫开发出1200VGaN开关通过集成续流二极管实现双向电流流动

来源:盖世汽车 时间:2025-05-06 13:49 阅读量:14713   
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盖世汽车讯电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要,也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓(GaN)的电力电子元件,以推动电动汽车、能源工业和气候技术的进一步发展。 ...

盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要,也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓(GaN)的电力电子元件,以推动电动汽车、能源工业和气候技术的进一步发展。

最近,Fraunhofer IAF在高压和低压元件方面取得了重大进展:在2025年欧洲电子制造技术与系统大会上,研究人员将展示一款阻断电压为1200 V的高度集成双向开关(MBDS)。他们还将演示如何在三电平T型转换器中使用带栅极触点的传统GaN晶体管作为双向开关。这两项成果均属于GaN4EmoBiL项目。

高效电力电子技术助力能源转型,刺激经济增长

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